铟镓砷光电二极管

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铟镓砷光电二极管

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商品信息

商品描述

特点：

响应范围从900nm到1700nm；
该封装支持单模和多模光纤耦合；
1.3微米和1.55微米灵敏度；
高响应度；
小面积（高速）和大面积；

InGaAs光电二极管在900纳米至1700纳米范围内具有卓越的响应性能，非常适合电信及近红外探测应用。70微米和120微米的光电二极管均采用隔离式TO-46封装，并配备带透镜的帽盖，便于单模和多模光纤耦合。这两种尺寸的光电二极管还提供带主动对准功能的FC接口。 70微米光电二极管非常适合高带宽应用，而120微米光电二极管则非常适合主动对准应用。3毫米光电二极管采用TO-5封装进行隔离，并配备宽带双面增透膜窗口。由于具有较高的并联电阻，3毫米光电二极管特别适用于对微弱信号高度敏感的应用场合。

InGaAs光电二极管规格
库存编号	#55-753和#55-756			#55-754和#55-757			#59-140
	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值
1310nm处的响应度	0.85 A/W	0.9 A/W		0.85 A/W	0.9 A/W		0.85 A/W	0.9 A/W
1550nm处的响应度	0.9 A/W	0.95 A/W		0.9 A/W	0.95 A/W		0.9 A/W	0.95 A/W
电容（在V = -5*时）	-	0.65 pF	-	-	1.0 pF	-	-	750 pF	1800 pF
暗电流（在V = -5时）	-	0.03 nA	2 nA	-	0.05 nA	2 nA	-	-	-
上升/下降时间（在V = -5时）	-	-	0.2 ns	-	-	0.3 纳秒	-	-	-
最大反向电压	-	-	20 伏	-		20 伏	-	-	2 伏
最大反向电流	-	-	1毫安	-	-	2毫安	-	-	2毫安
最大正向电流	-	-	5毫安	-	-	5毫安	-	-	10毫安
分流电阻（V = -10毫伏）	-			-			20兆欧
感应区域直径	70µm			120µm			3000µm
NEP（含Hz^1/2)	3.44 x 10^-15			4.5 x 10^-15			4.25 x 10^-14
封装类型	TO-46			TO-46			TO-5